ТРАНЗИСТОРЫ

MOS-N-IGBT (1350V, 20A) с ДИОДом

N-MOSFET 800V,  7A, <1,45Ω

N-MOSFET 900V,  6(9)A, 90W, <1Ω

N-MOSFET 100V, 180A, 240W, <4mΩ

Ignition IGBT 400V, 20A, Uкэ.нас: 1,3 В

N-MOSFET 700V,  8A, 63W, <0.6Ω
Ток стока номинальный при 25°C 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 600 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 600 мОм, Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 63 Вт

Ignition IGBT 400V, 20A, Uкэ.нас: 1,35 В 150W
Корпус TO263 , Напряжение К-Э максимальное 420 , Ток коллектора максимальный при 25°C 30 А, Напряжение насыщения К-Э 1,35 В, Время включения 650 нс, Время выключения 13.5 мкс, Максимальная мощность 150 Вт, Заряд затвора 29 нКл, Тип входа логический

N-MOSFET 650V, 90A, 430W,  <0,029Ω
Ток стока номинальный при 25°C 90 А, Сопротивление открытого канала (мин) 29 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 29 мОм, Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 430 Вт

N-MOSFET 600V, 23A, 150W, <0,16Ω
Максимальное напряжение затвора 30 В

N-MOSFET  60V, 75A, 56W, <7mΩ
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 29 нКл, Рассеиваемая мощность 56.8 Вт

N-MOSFET 100V, 55A, 96W, <12mΩ
Диапазон номинальных напряжений затвора, max    10 В
Заряд затвора  113 нКл
Ёмкость затвора 5 401 пФ

N-MOSFET  20V,  3A, <47mΩ
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 47 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 61 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Заряд затвора 3 нКл, Ёмкость затвора 200 пФ

N-MOSFET 150V, 119A, 344W, <9mΩ

N-MOSFET 600V, 80A, 410W,  <0,039Ω
Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 410 Вт

N-MOSFET 600V, 12A, 80W, <0,38Ω
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 380 мОм, Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 80 Вт

N-MOSFET 600V, 36A, 277W,  <0,097Ω
Максимальное напряжение затвора 30 В, Рассеиваемая мощность 277Вт WMJ36N60F2

N-MOSFET  60V, 55A, 100W, <8mΩ
Диапазон номинальных напряжений затвора, max    10 В
Заряд затвора    44 нКл
Ёмкость затвора    2 065 пФ

N-MOSFET 150V, 135A, 306W, <7.1mΩ
Максимальное напряжение затвора 20 В

N-MOSFET 100V,  6A, 3W, <0.14Ω
Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 15.5 нКл, Рассеиваемая мощность 3 Вт

N-MOSFET 150V, 90A, 375W,  <0,09Ω
Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10.9 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 47 нКл, Ёмкость затвора 3 609 пФ

N-MOSFET 650V,  6A, 45W, <0.65Ω

N-MOSFET 710V, 45A, 371W, <0,06Ω, 60nC

MOSFET-N+P Dual: 30V, (N=12A, 25W) (P=12A, 25W)

MOS-N-IGBT+Di (1200V, 40A, 347W, VCE(on) typ.=2V)

N-MOSFET 600V,  3,5A, 59W, <2Ω

N-MOSFET 600V,  8A, 78W, <0.62Ω

N-MOSFET 100V, 135A, 220W, <3,9mΩ

N-MOSFET 500V, 45A, 625W, <0,12Ω

N-MOSFET  80V, 120A, 220W, <_mΩ

MOS-N-IGBT+Di  (600V, 50A, 345W)