10 Активные компоненты

N-MOSFET  30V, 86A, 75W, <5,8mΩ

N-MOSFET  30V,  2,7A, <80mΩ

N-MOSFET  55V, 104A, 200W, <8mΩ

N-MOSFET  75V, 210A, 370W, <3,3mΩ

N-MOSFET  40V, 57A, 50W, <0,08Ω

N-MOSFET  20V, 18A, 60W, <14mΩ

N-MOSFET 500V, 20(80)A, 150W, <0,02Ω

N-MOSFET 600V,  2A,25W,<5Ω

N-MOSFET  25V, 0,01A, 0,625W  аналог КП303Е, BF245C

N-MOSFET  60V, 60A, 150W, <18mΩ

Triac симистор (600V, 5A IFGTI, IRGTI, IRGTIII:30mA)

N-MOSFET  60V, 55A, 130W, <22mΩ (27,5A)

N-MOSFET 500V, 15A,  50W, <0,24Ω

N-MOSFET 600V, 12A, 50W, <0,65Ω

N-MOSFET 600V,  7,5A, 48W, <1,2Ω

N-MOSFET 600V,  4A, 30W, <1,8Ω = FQPF4N60C

N-MOSFET 900V,  3,5A, 35W, <4,2Ω(1,7A)

Ignition IGBT 400V, 20A, Uкэ.нас: 1,35 В 125W
Корпус TO252 , Напряжение К-Э максимальное 420 , Ток коллектора максимальный при 25°C 25 А, Напряжение насыщения К-Э 1,35 В, Время включения 650 нс, Время выключения 13.5 мкс, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 29 нКл, Тип входа логический

MOS-N-IGBT (330V, 50A, 260W)

MOS-N-IGBT+Di  (600V, 50A, 230W)

MOS-N-IGBT (300V, 30(200)A, 26W)  Маркировка: 30F124

Field Stop IGBT+Di (600V, 40(80макс)A, 290W, 2,3V)

NPN (NF-L, 55V, 6A, 65W, >3MHz)

NPN (NF-L, 115V, 25A, 125W, >3MHz)

NPN (NF/S-L, 100V, 15A, 90W, >3MHz)

PNP-Darl+Di (NF/S-L, 100V, 10A, 125W, B>1000)

NPN +Di (CTV-HA, 1500/600V, 8A, 50W) =ST1803DHI

PNP (S, Vid, 400/400V, 0,3A, 0,625W)

PNP (Vid, 300/300V, 0,5A, 0,625W, >50MHz)

NPN (S-L, SMPS, 700/400V, 1,5A, 40W, >4MHz)